Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 68 (1998) | ISSUE 3 | PAGE 211
Высокотемпературные сверхпроводники как гетероструктуры
PACS: 71.50.+t, 73.20.Dx, 78.55.Cr
Для описания электронных состояний купратных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) использован метод огибающей волновой функции, в котором 2D электронные состояния слоев СиОг элементарной ячейки играют роль квантовых ям, а 2D состояния резервуара роль квантовых барьеров. Из-за различной анизотропии 2D эффективных масс ям и барьеров часть состояний на поверхности (линии) Ферми принадлежит слоям СиОг, а часть слоям резервуара. Это поведение электронных состояний объясняет такие особенности ВТСП, как существование на поверхности Ферми областей с сильно различающимися временами релаксации, слабое подавление немагнитным рассеянием d-типа сверхпроводящего спаривания, совпадение угловой зависимости сверхпроводящего параметра порядка с угловой зависимостью плотности электронных состояний (преимущественное рассеяние вперед). Изменение знаков компонент эффективных масс вдоль поверхности Ферми может приводить к образованию пар дырок (бихол) или электронов (биэлектрон) за счет кулоновского взаимодействия при отрицательной приведенной массе пар.