 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 113 (2021) | ISSUE 10 | PAGE 697 |
|---|
|
Поглощение микроволнового излучения двумерными электронными системами, связанное с возбуждением размерных резонансов бернштейновских мод
С. И. Дорожкин+, А. А. Капустин+, В. Уманский*, Ю. Х. Смет×
+Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия *Department of Physics, Weizmann Institute of Science, 76100 Rehovot, Israel ×Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstrasse 1, D-70569 Stuttgart, Germany
Abstract
На образцах гетероструктур GaAs/AlGaAs с двумерной электронной системой под микроволновым излучением частоты 130-170 ГГц выполнены исследования зависимости амплитуд осцилляций Шубникова-де Гааза от магнитного поля. Обнаружены две особенности подавления амплитуд осцилляций излучением, имеющие резонансный характер по полю. Один из резонансов возникает в магнитном поле, соответствующем второй гармонике циклотронного резонанса, в то время как существование, положение и амплитуда второго резонанса более сложным образом зависят от частоты излучения. Обнаруженное резонансное поглощение излучения на второй гармонике, по-видимому, является причиной аномального пика магнетосопротивления, недавно наблюдавшегося около этой гармоники. Указанные резонансы могут быть объяснены возбуждением в ограниченном образце стоячих магнитоплазменных волн с одинаковым волновым вектором, но соответствующих двум различным областям их закона дисперсии: почти бездисперсионному участку бернштейновской моды и циклотронной магнитоплазменной моде. |