 Home |
| For authors |
| Submission status |
| Archive
|
| Archive
(English)
|
| Current
|
| Volumes 93-112 |
 Volumes 113-119 |
| Volume 119 |
| Volume 118 |
| Volume 117 |
| Volume 116 |
| Volume 115 |
| Volume 114 |
| Volume 113 |
| Search |
| VOLUME 114 (2021) | ISSUE 9 | PAGE 620 |
|---|
|
Кулоновский центр в монослое дихалькогенидов переходных металлов
М. М. Махмудиан+*, А. В. Чаплик+* 1)
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
Abstract
Теоретически исследованы электронные процессы с участием заряженной примеси в монослое дихалькогенидов переходных металлов (ДХПМ) и в графене со щелью (gapped graphene). В рамках минимальной двухзонной модели найден спектр связанных состояний, транспортное сечение рассеяния электронов на заряженном донорном центре и вероятность фотоионизации донора. Последнее обладает существенной долинной селективностью. |