Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 77 (2003) | ISSUE 9 | PAGE 620
Резонансное комбинационное рассеяние в сверхпроводящем Ba1-xKxBiO3
Abstract
Исследовано влияние энергии кванта возбуждающего лазерного излучения на форму спектров комбинационного рассеяния Ba1-xKxBiO3 с x= 0.25, 0.40 и 0.50. Показано, что увеличение длины волны лазерного излучения с 488 нм до 750 нм слабо влияет на амплитуды и частоты линий в спектрах несверхпроводящего состава с x=0.25. Обнаружен значительный рост интенсивности и существенный сдвиг характерных частот для оптимально допированного (x=0.40) и передопированного (x=0.50) сверхпроводящих составов. Это указывает на то, что во всей области сверхпроводимости 0.37\leq x \leq0.50 локальная симметрия кристаллической решетки Ba1-xKxBiO3 отличается от идеальной кубической симметрии, которая существует согласно литературным данным. Наблюдение резонансных явлений при сдвиге энергии кванта возбуждающего лазера к энергии оптической щели свидетельствует о существовании локальных электронных пар во всем диапазоне 0.37\leq x \leq0.50 сверхпроводящих составов и говорит в пользу механизма сверхпроводимости Ba1-xKxBiO3, предложенного нами ранее на основе экспериментального исследования рентгеновских спектров поглощения.