Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 78 (2003) | ISSUE 7 | PAGE 935
Поверхностное натяжение чистых изотопов жидкого гелия
PACS: 67.55.-s, 73.20.Dx
Abstract
Рассмотрены эффекты, связанные с неоднородностью пара над жидким гелием. Оба чистых изотопа имеют поверхностные уровни, заселенность которых растет при повышении температуры T. Мы выделили их вклад в температурную зависимость поверхностного натяжения σ3(T), σ4(T) и провели сравнение теории с результатами экспериментальных работ, выполненных в Японии [1 - 3]. Для жидкого He3: σ3(T)=σ3(0)-α∞3T2 при 0.2 K<T<1 K; \sigma_3(T)=\sigma_3(0)-\alpha^0_3T^2\exp({-{\Delta_3}/{T}}) при T<0.2 K, где \Delta_3\approx 0.25 K. Для жидкого He4 при T<2 K: \sigma_4(T)=\sigma_4(0)-AT^{7/3}-\alpha^0_4T^2\exp({-\Delta_4/T}), где A - постоянная Аткинса, а \Delta_4\approx 4 K. Параметры α03, α∞3, α04 не зависят от свойств жидкости.