Home
| VOLUME 75 (2002) | ISSUE 11 | PAGE 680 |
|---|
|
Электропроводность кристаллов фуллерена С60 при динамическом сжатии до 200 кбар
Ю. А. Осипьян*, В. Е. Фортов, К. Л. Каган, В. В. Кведер*, В. И. Кулаков*, А. Н. Курьянчик, Р. К. Николаев*, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров* Институт проблем химической физики РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия *Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия PACS: 81.40.Vw, 71.30.+h
Abstract
Измерена удельная электропроводность σ кристаллов фуллерена С60 в условиях квазиизэнтропического нагружения размытой ударной волной до давления 200 кбар при начальных температурах T=293 К и 77 К. В результате зарегистрировано резкое увеличение σ на 7-8 порядков с 10-6 - 10-7 Ом-1•см-1 при нормальных условиях до 5 Ом-1•см-1 в диапазоне давлений 100-200 кбар. Электропроводность образцов под давлением падает с понижением температуры, что характерно для полупроводников. При снятии давления значение σ возвращается к исходной величине. |