Home
For authors
Submission status

Current
Archive (English)
Archive
   Volumes 81-92
   Volumes 41-60
   Volumes 21-40
   Volumes 1-20
   Volumes 61-80
      Volume 80
      Volume 79
      Volume 78
      Volume 77
      Volume 76
      Volume 75
      Volume 74
      Volume 73
      Volume 72
      Volume 71
      Volume 70
      Volume 69
      Volume 68
      Volume 67
      Volume 66
      Volume 65
      Volume 64
      Volume 63
      Volume 62
      Volume 61
Search
VOLUME 62 (1995) | ISSUE 4 | PAGE 318
Поглощение света сверхрешетками в скрещенных электрическом и магнитном полях: предел сильных полей
Показано, что в скрещенных электрическом и магнитном полях в пределе сильного электрического поля (режим ваннье-штарковской лестницы) магнитное поле при любой величине играет роль малого возмущения. Электрическое поле приводит к разрушению сложной структуры спектра в магнитном поле. Роль магнитного поля сводится к слабой модуляции ваннье-штарковской лестницы в зависимости от номера уровня. Показано также, что коэффициент межзонного поглощения света, в отличие от предела слабых полей, не имеет экспоненциальной малости с ростом электрического поля. Предсказываемые особенности доступны прямой экспериментальной проверке на полупроводниковых сверхрешетках.