Home
| VOLUME 121 (2025) | ISSUE 12 | PAGE 945 |
|---|
|
Термостабильный сегнетоэлектрик HfO2 : Al2O3 (10:1) в SOI и SOS гетероструктурах после RTA обработок и утончения кремния окислением1)
В. П. Попов+ 2), В. А. Антонов+, В. Е. Жилицкий+, А. А. Ломов*, А. В. Мяконьких*, К. В. Руденко*
+Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН, 630090 Новосибирск, Россия *Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" - ФТИАН им. К. А. Валиева, 117218 Москва, Россия
Abstract
Обнаруженная ранее в 10-20 нм скрытом сегнетоэлектрическом слое HfO2:Al2O3 (10:1) структур кремний-на-изоляторе и кремний-на-сапфире орторомбическая фаза Pmn21 после отжигов при T > 950 °C 1 ч отсутствует после ступенчатых быстрых 30 с термообработок по данным малоугловой рентгеновской дифракции (GIXRD). Вместо нее формируются стабильные до 1000 °C напряженные текстурированные сегнетоэлектрические слои с ориентацией 111 для подложек кремния и 002 для сапфира соответственно в ромбоэдрической rR3 или орторомбической Pca21 фазах, неразличимых по GIXRD дифрактограммам. В пользу ромбоэдрической фазы rR3 свидетельствует большая остаточная поляризация в кремний-на-изоляторе структурах. |