|
|
Meta-bolometer based on toroidal response
|
vol 118(2023), issue 5,
367
(363)
|
|
|
Экспериментальная демонстрация микрообработки поверхности полистирола с использованием фотонного крючка
|
vol 120(2024), issue 2,
152
(146)
|
|
|
Лазерный перенос апконвертирующих наночастиц
|
vol 120(2024), issue 2,
157
(151)
|
|
|
Новые возможности для анализа деформаций колеблющихся кристаллов с помощью рентгеновской визуализации кривой качания
|
vol 120(2024), issue 5,
377
(367)
|
|
|
Optically controlled fine-tuning phase shift cell based on thin-film Ge2Sb2Te5 for light beam phase modulation
|
vol 120(2024), issue 6,
457
(440)
|
|
|
Исследование пространственного распределения излучения плазмы Х-пинчей с помощью кодирующей апертуры нового типа
|
vol 120(2024), issue 6,
459
(445)
|
|
|
Синхронное детектирование нелинейных явлений в оптоакустических осцилляциях нанопленки, инициированных фемтосекундным лазерным импульсом
|
vol 120(2024), issue 7,
550
(531)
|
|
|
Геометрическая фаза как основа квантовой акселерометрии
|
vol 120(2024), issue 7,
560
(540)
|
|
|
Концепция собирающей металинзы на чипе в качестве миниатюрного сенсора флуоресценции одиночных молекул
|
vol 120(2024), issue 9,
714
(687)
|
|
|
Ультракороткие импульсы в структурном анализе алмазных слоев с NV-центрами
|
vol 120(2024), issue 9,
723
(695)
|
|
MINI-REVIEW
|
Компенсация влияния несовершенства структуры Нуклотрона/ОИЯИ на поляризацию протонов в области целого спинового резонанса (Миниобзор)
|
vol 120(2024), issue 10,
810
(779)
|
|
|
Метод полностью оптической векторной магнитометрии по спектроскопии антипересечений уровней спиновых центров в 4H-SiC
|
vol 122(2025), issue 5,
306
(321)
|
|
|
Цилиндрические микрорезонаторы из кремния и нитрида кремния, изготовленные из оптических волокон методом магнетронного напыления
|
vol 122(2025), issue 11,
763
|
|
|
Анализ параметров узкополосной генерации случайного волоконного ВКР-лазера для сверхразрешающей спектроскопии со сканирующим спектрометром
|
vol 122(2025), issue 11,
769
|
|
|
Активные элементы устройств оптических фазовращателей на основе тонких пленок материалов Ge2Sb2Se4Te1, Sb2Se3 и Bi2Se3
|
vol 122(2025), issue 12,
855
|
Home